測試技術
功率半導體被廣泛應用于新能源(風電、光伏、電動汽車)、消費電子、智能電網、軌道交通等行業領域。IGBT和MOSFET作為主要的電力電子器件，在計算機、通訊、等領域被廣泛應用。以氮化鎵(GaN) 為核心的射頻半導體，支撐著5G基站及工業互聯網系統的建設；以碳化硅(SiC)以及IGBT為核心的功率半導體，支撐著新能源汽車、充電樁、基站/數據中心電源、特高壓以及軌道交通系統的建設；
在功率半導體的市場空間的穩步增長推動下，半導體性能要求不斷提高，如何保證選用的高速功率器件并在高溫、強輻射、大功率環境下能穩定可靠的運行，這給設計工程師帶來了非常大的測試挑戰，我們需要了解功率器件的動態特性：
高功率分離式元件（例如功率電晶體、功率二極體、閘流體等且元件方向性為垂直／橫向者）或高功率放大器之電性量測皆屬高功率元件測試。以 500 V（高電壓）以上及／或 1 A（高電流）以上之脈衝或直流電進行量測。高功率元件的晶圓特性描述應用面臨以下挑戰：晶圓載臺至晶圓背面之接觸電阻/高電流元件金屬墊層燒壞毀損/在高電壓及各溫度條件下進行低漏電流量測/高電壓電弧/薄晶圓處理/安全的測試環境。
8inch晶圓i-v ，c-v曲線，P-iv 測試
0.5微米線路內部點針，100fA 以內漏電精度，-60℃~200℃溫度控制
