測試技術
隨著航空航天技術發展，一些高可靠、高性能半導體器件，特別是核心宇航器件，已經成為衡量一個國家航天科技術水平的重要標志。但由于我國集成電路產業基礎薄弱，關鍵半導體器件主要依賴進口，不僅成本高、進口渠道無質量保證，更存在著極大的安全隱患，如芯片被植入木馬結構等。為此，必須擁有自己研發的核心器件。在芯片研發制程中，為了保證器件能在太空中承受冷、黑、熱、真空、磁、粒子、光子輻射等惡劣環境，需要為器件營造了高溫、低溫、真空、磁場、光照、粒子輻照等環境，然后讓器件在其中工作，觀察器件在不同環境下，其電學參數是否正常。
常見2種應用需要真空測試環境
極低溫測試:
晶圓在低溫大氣環境測試時，空氣中的水汽會凝結在晶圓上，會導致漏電過大或者探針無法接觸電極而使測試失敗。避免這些需要把真空腔內的水汽在測試前用泵抽走，并且保持整個測試過程泵的運轉。同時由于真空絕熱作用可以有效提高制冷效率。
高溫無氧化測試：
4inch以內晶圓，材料，器件i-v ，c-v曲線，電阻率，霍爾測試。
40微米以上電極點針測試， 100fA以內漏電精度，4~500K 溫度測試范圍，1mK溫控精度，100mK溫度溫度性。
