霍爾效應測試系統是集成Keithley2400/2600系列高精度源表和Semishare polaris高低溫平臺，采用范德堡爾法則設計，應用于高精度的測量半導體材料的載流子類型（P型/N型）、載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數等參數，能夠適用于Si、SiGe、SiC、GaAs、InGaAs、InP、GaN等半導體材料。
| 產品型號 | HALL | 工作環境 | Windows98/ME/2000/NT/XP環境下 |
| 電力需求 | / | 操控方式 | / |
| 產品尺寸 | / | 設備重量 | / |
霍爾效應測試系統是一款應用于各種半導體材料高精度測量的軟件集成系統。
●業界領先的keithley測試平臺 ●超高精度源表，實現精準測量 ●模塊化設計，性能穩定維護簡便 ●豐富的軟件功能，操作便捷靈活 ●可視化界面，數據分析清晰明了 ●高低溫變溫環境，有效實現可靠性測試
| 霍爾效應測試系統 | ||
| 簡介 |
本系統是集成keithley 2400/2600系列高精度源表和semishare Polaris 高低溫平臺采用范德堡爾法則設計的應用于高精度的測量半導體材料的載流子類型（P型/N型），載流子濃度，遷移率，電阻率，霍爾系數等參數。能夠適用于 Si,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN等各種材. |
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| 軟件操作環境 | Windows 98 / ME / 2000 / NT / XP環境下 | |
| 有效電流輸出范圍 | 6nA~100mA | |
| 有效電壓測量范圍 | -5~5V | |
| 載流子濃度 concentration(/cm3) | 107 – 1021 | |
| 遷移率Mobility(cm2/Vs) | 1~107 | |
| 電阻率Resistivity (Ohm.cm) | 10-4 - 107 | |
| A/B ratio | OK | |
| RHD(cm3/C) | OK | |
| RHC(cm3/C) | OK | |
| RH(cm3/C) | OK | |
| Sheet Resistance(Ohm) | OK | |
| 溫度 | 溫度(K):常溫和77K 兩個溫度點 | |
| Option:77K~500K ,0.1攝氏度精度，可通過程序設定 | ||
| 儀器尺寸和重量 | 主機尺寸 | 89mm 高 × 213mm 寬 × 370mm 長 |
| 重量 | 3.21kg | |
| 工作環境要求 | 0°–50°C, 70%R.H. | |
| 存儲環境要求 | –25°C to 65°C | |
| 范德堡爾法則終端轉換器 | 200×120×110 mm (W×H×D) | |
| 凈 重 | 7.7千克 | |
| 測量材料 | Si, SiGe, SiC, ZnO, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO等所有半導體薄膜(P型和N型)； | |
| 特點 | ||
| keithley測試平臺 | 功能豐富的軟件 | |
| 超高精度的源表 | 可視化的界面 | |
| 模塊化的設計 | 高低溫變溫環境 | |
